طلب اقتباس |
منزل المنتجاتشوتكي جسر المعدل

MBRB10100CT-B شوتكي الجسر المعدل منخفضة الطاقة فقدان عالية الكفاءة

جميع المنتجات

mosfet قوة ترانزستور

(118)

نصيحة الترانزستورات السلطة

(30)

السيليكون الترانزستور السلطة

(19)

التبديل المزدوج ديود

(15)

مجال تأثير الترانزستور موس

(29)

قناة مزدوجة موسفت

(10)

انتعاش سريع المعدل ديود

(6)

السلطة زينر ديود

(6)

شوتكي جسر المعدل

(10)

الجهد العالي المعدل ديود

(15)

الصمام الثلاثي أشباه الموصلات

(9)

الجهد استقرار IC

(14)
شهادة
الصين Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd الشهادات
الصين Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd الشهادات
زبون مراجعة
نتعاون مع Hua Xuan Yang بشكل كبير بسبب كفاءتهم المهنية ، واستجابتهم الشديدة لتخصيص المنتجات التي نحتاجها ، وتسوية جميع احتياجاتنا ، وقبل كل شيء ، فهي توفر خدمات عالية الجودة.

—— —— جيسون من كندا

بناءً على توصية صديقي ، نعرف عن Hua Xuan Yang ، وهو خبير كبير في صناعة أشباه الموصلات والمكونات الإلكترونية ، والذي مكننا من تقليل وقتنا الثمين وعدم الاضطرار إلى تجربة مصانع أخرى.

—— —— Виктор من روسيا

ابن دردش الآن

MBRB10100CT-B شوتكي الجسر المعدل منخفضة الطاقة فقدان عالية الكفاءة

MBRB10100CT-B شوتكي الجسر المعدل منخفضة الطاقة فقدان عالية الكفاءة
MBRB10100CT-B شوتكي الجسر المعدل منخفضة الطاقة فقدان عالية الكفاءة MBRB10100CT-B شوتكي الجسر المعدل منخفضة الطاقة فقدان عالية الكفاءة

صورة كبيرة :  MBRB10100CT-B شوتكي الجسر المعدل منخفضة الطاقة فقدان عالية الكفاءة

تفاصيل المنتج:
مكان المنشأ: الصين شنتشن
اسم العلامة التجارية: Hua Xuan Yang
إصدار الشهادات: RoHS、SGS
رقم الموديل: MBRB10100CT-B
شروط الدفع والشحن:
الحد الأدنى لكمية: 1000-2000 جهاز كمبيوتر شخصى
الأسعار: Negotiated
تفاصيل التغليف: يعلّب
وقت التسليم: 1 - 2 أسبوع
شروط الدفع: L / CT / T ويسترن يونيون
القدرة على العرض: 18،000،000PCS / في اليوم الواحد
اتصل

MBRB10100CT-B شوتكي الجسر المعدل منخفضة الطاقة فقدان عالية الكفاءة

وصف
قوة mosfet ترانزستور: TO-263-2L الثنائيات المغلفة بالبلاستيك نوع: شوتكي جسر المعدل
ميزة: انخفاض فقدان الطاقة ، وكفاءة عالية RMS الجهد العكسي: 70V
معرف المنتج: MBRB10100CT-B TJ: 125℃
تسليط الضوء:

شوتكي ديود جسر المعدل

,

شوتكي حاجز ديود المعدل

MBR3060CT / MBR3060FCT TO-220-3L ديود تغليف مغلف


خاصية
شوتكي حاجز تشيب
انخفاض فقدان الطاقة ، وكفاءة عالية
حارس حلقة يموت البناء لحماية عابرة
ارتفاع قدرة عالية
قدرة عالية الحالية وانخفاض انخفاض الجهد إلى الأمام
للاستخدام في محولات التردد المنخفض ، العجلة الحرة ،
وتطبيقات حماية القطبية
MAXIMUMRATINGS (تا = 25 ℃ unlessotherwisenoted)
ELECTRICALCHARACTERISTICS (تا = 25 ℃ unlessotherwisespecified)
الخصائص النموذجية

بطاقة:

حاجز شوتكي ديود المعدل,

وتحديد شوتكي ديود,شوتكي ديود جسر المعدل,

شوتكي حاجز ديود المعدل

تفاصيل الاتصال
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

اتصل شخص: David

إرسال استفسارك مباشرة لنا (0 / 3000)

حول

mosfet قوة ترانزستور

HXY4616 الترانزستور مستوى المنطق ، عالية الجهد الترانزستور 30V MOSFET التكميلية

HXY4616 Mosfet Power Transistor ± 20V VGS Voltage VDS 40V VGS ± 20v

20G04S 40V Mosfet السلطة الترانزستور N + P وضع قناة تعزيز MOSFET

ترك رسالة

سياسة الخصوصية | الصين جيّد جودة mosfet قوة ترانزستور المزود. © 2019 - 2022 mosfet-powertransistor.com. All Rights Reserved.

اترك رسالة