|
تفاصيل المنتج:
|
| نوع: | السيليكون الترانزستور السلطة | ميزة: | انخفاض مكافئ على المقاومة |
|---|---|---|---|
| جامع-باعث الجهد الكهربي: | 60V | تخزين درجة حرارة: | -55 ~ + 150 ℃ |
| جامع تبديد الطاقة: | 250MW | ذروة نبض الحالية: | 2A |
| تسليط الضوء: | الترانزستور عالية التردد,الترانزستورات السلطة mosfet |
||
SOT-23 الترانزستورات المغلفة بالبلاستيك FMMT491 TRANSISTOR (NPN)
انخفاض مكافئ على المقاومة
تقييمات الحد الأقصى (تا = 25 ℃ ما لم يذكر خلاف ذلك)
| رمز | معامل | القيمة | وحدة |
| V CBO | جامع قاعدة الجهد | 80 | الخامس |
| الرئيس التنفيذي الخامس | جامع باعث الجهد | 60 | الخامس |
| V EBO | باعث قاعدة الجهد | 5 | الخامس |
| أنا جيم | تيار جامع | 1 | ا |
| أنا سم | ذروة نبض الحالية | 2 | ا |
| ف جيم | جامع تبديد الطاقة | 250 | ميغاواط |
| R ΘJA | المقاومة الحرارية من مفرق إلى المحيط | 500 | ℃ / W |
| تي ي | درجة حرارة مفرق | 150 | ℃ |
| تي STG | درجة حرارة التخزين | -55 ~ + 150 | ℃ |
الخصائص الكهربائية (تا = 25 ℃ ما لم ينص على خلاف ذلك)
| معامل | رمز | شروط الاختبار | دقيقة | الطباع | ماكس | وحدة |
| جامع قاعدة انهيار الجهد | V (BR) CBO | I C = 100μA ، I E = 0 | 80 | الخامس | ||
| جامع باعث انهيار الجهد | الخامس (BR) الرئيس التنفيذي 1 | I C = 10ma ، I B = 0 | 60 | الخامس | ||
| باعث قاعدة انهيار الجهد | V (BR) EBO | I E = 100μA ، I C = 0 | 5 | الخامس | ||
| جامع قطع التيار الكهربائي | ICBO | V CB = 60V ، I E = 0 | 0.1 | أمبير | ||
| باعث قطع التيار الكهربائي | IEBO | V EB = 4V ، I C = 0 | 0.1 | أمبير | ||
كسب الحالي العاصمة | HFE (1) | V CE = 5V ، I C = 1mA | 100 | |||
| hFE (2) 1 | V CE = 5V ، I C = 500mA | 100 | 300 | |||
| hFE (3) 1 | V CE = 5V ، I C = 1A | 80 | ||||
| hFE (4) 1 | V CE = 5V ، I C = 2A | 30 | ||||
جامع باعث تشبع الجهد | VCE (السبت) 1 1 | أنا C = 500mA ، I B = 50mA | 0.25 | الخامس | ||
| VCE (السبت) 2 1 | I C = 1A ، I B = 100mA | 0.5 | الخامس | |||
| الجهد تشبع باعث قاعدة | VBE (السبت) 1 | I C = 1A ، I B = 100mA | 1.1 | الخامس | ||
| قاعدة باعث الجهد | 1 VBE | V CE = 5V ، I C = 1A | 1 | الخامس | ||
| تردد الانتقال | قدم | V CE = 10V ، I C = 50mA ، و = 100MHz | 150 | ميغاهيرتز | ||
| السعة الناتج جامع | قطعة خبز | V CB = 10V ، f = 1MHz | 10 | الجبهة الوطنية |
تقاس تحت الظروف النبضية ، عرض النبضة = 300μ ، دورة التشغيل ≤ 2٪.
الخصائص النموذجية 
حزمة الخطوط العريضة الأبعاد
| رمز | الأبعاد في ملليمتر | الأبعاد في بوصة | ||
| دقيقة | ماكس | دقيقة | ماكس | |
| ا | 0.900 | 1.150 | 0.035 | 0.045 |
| A1 | 0.000 | 0.100 | 0.000 | 0.004 |
| A2 | 0.900 | 1.050 | 0.035 | 0.041 |
| ب | 0.300 | 0.500 | 0.012 | 0.020 |
| ج | 0.080 | 0.150 | 0.003 | 0.006 |
| د | 2.800 | 3.000 | 0.110 | 0.118 |
| E | 1.200 | 1.400 | 0.047 | 0.055 |
| E1 | 2.250 | 2.550 | 0.089 | 0.100 |
| البريد | 0.950 TYP | 0.037 TYP | ||
| E1 | 1.800 | 2.000 | 0.071 | 0.079 |
| L | 0.550 المرجع | 0.022 المرجع | ||
| L1 | 0.300 | 0.500 | 0.012 | 0.020 |
| θ | 0 ° | 8 ° | 0 ° | 8 ° |
اتصل شخص: David
