|
تفاصيل المنتج:
|
| اسم المنتج: | mosfet قوة ترانزستور | تطبيق: | تبديل التردد العالي |
|---|---|---|---|
| مواد: | السيليكون | رقم الموديل: | HXY4266 |
| VDS: | 60V | معرف (في VGS = 10V): | 11A |
| تسليط الضوء: | الترانزستور الحالي عالية,سائق mosfet باستخدام الترانزستور |
||
ملخص المنتج
| VDS | 60V |
| معرف (في VGS = 10V) | 11A |
| RDS (ON) (عند VGS = 10V) | أقل من 13.5 متر مكعب |
| RDS (ON) (عند VGS = 4.5V) | <18mΩ |
وصف عام
تطبيقات
الخصائص الكهربائية (T = 25 درجة مئوية ما لم يذكر خلاف ذلك )
A. تقاس قيمة R θ JA بالجهاز المثبت على لوح 1in 2 FR-4 مع 2oz. النحاس ، في بيئة لا تزال الهواء مع T A = 25 درجة مئوية. ال
تعتمد القيمة في أي تطبيق معين على تصميم اللوحة الخاص بالمستخدم.
ب. يعتمد تبديد القدرة P D على T J (MAX) = 150 درجة مئوية ، باستخدام المقاومة الحرارية تقاطع ≤ 10s إلى المحيط.
C. التصنيف المتكرر ، عرض النبض محدود بواسطة درجة حرارة الوصلة T J (MAX) = 150 درجة مئوية. وتستند التقييمات على دورات التردد المنخفض واجب الواجب الحفاظ عليها
الأولي = 25 درجة مئوية.
D. R R JA هو مجموع المعاوقة الحرارية من الوصلة إلى الرصاص R θ JL وتؤدي إلى المحيط.
يتم الحصول على الخصائص الساكنة في الأشكال من 1 إلى 6 باستخدام نبضات <300µ ، ودورة العمل 0.5٪ كحد أقصى.
واو - تعتمد هذه المنحنيات على المعاوقة الحرارية من الوصلات إلى المحيط والتي تقاس بالجهاز المثبت على لوح 1in 2 FR-4 مع
2OZ. النحاس ، بافتراض درجة حرارة تقاطع قصوى قدرها T J (MAX) = 150 درجة مئوية. يوفر منحنى الخدمية معدل نبض واحد.
G. دورة العمل ارتفاع 5 ٪ كحد أقصى ، محدودة من درجة حرارة تقاطع TJ (MAX) = 125 درجة مئوية.
الصفات الكهربائية والكهربائية الحرارية
اتصل شخص: David
