|
تفاصيل المنتج:
|
| اسم المنتج: | mosfet قوة ترانزستور | VDS: | 30V |
|---|---|---|---|
| معرف (في VGS = 10V): | 13A | رقم الموديل: | HXY4406A |
| RDS (ON) (عند VGS = 10V): | أقل من 11.5 متر مكعب | نوع: | الترانزستور mosfet |
| تسليط الضوء: | الترانزستور الحالي عالية,التبديل mosfet المنطق |
||
ملخص المنتج
| VDS | 30V |
| معرف (في VGS = 10V) | 13A |
| RDS (ON) (عند VGS = 10V) | أقل من 11.5 متر مكعب |
| RDS (ON) (عند VGS = 4.5V) | أقل من 15.5 متر مكعب |
وصف عام
يستخدم HXY4406A تقنية RDS الممتازة (ON) ذات تقنية الخنادق المتقدمة ذات الشحن المنخفض في البوابة. هذا الجهاز مناسب لتبديل الجانب العالي في SMPS وتطبيقات الأغراض العامة.
الخصائص الكهربائية (T = 25 درجة مئوية ما لم يذكر خلاف ذلك )
A. تقاس قيمة R θ JA بالجهاز المثبت على لوح 1in 2 FR-4 مع 2oz. النحاس ، في بيئة لا تزال الهواء مع T A = 25 درجة مئوية. ال
تعتمد القيمة في أي تطبيق معين على تصميم اللوحة الخاص بالمستخدم.
ب. يعتمد تبديد القدرة P D على T J (MAX) = 150 درجة مئوية ، باستخدام المقاومة الحرارية تقاطع ≤ 10s إلى المحيط.
C. التصنيف المتكرر ، عرض النبض محدود بواسطة درجة حرارة الوصلة T J (MAX) = 150 درجة مئوية. وتستند التقييمات على دورات التردد المنخفض واجب الواجب الحفاظ عليها
الأولي = 25 درجة مئوية.
D. R R JA هو مجموع المعاوقة الحرارية من الوصلة إلى الرصاص R θ JL وتؤدي إلى المحيط.
يتم الحصول على الخصائص الساكنة في الأشكال من 1 إلى 6 باستخدام نبضات <300µ ، ودورة العمل 0.5٪ كحد أقصى.
واو - تعتمد هذه المنحنيات على المعاوقة الحرارية من الوصلات إلى المحيط والتي تقاس بالجهاز المثبت على لوح 1in 2 FR-4 مع
2OZ. النحاس ، بافتراض درجة حرارة تقاطع قصوى قدرها T J (MAX) = 150 درجة مئوية. يوفر منحنى الخدمية معدل نبض واحد.
G. دورة العمل ارتفاع 5 ٪ كحد أقصى ، محدودة من درجة حرارة تقاطع TJ (MAX) = 125 درجة مئوية.
الصفات الكهربائية والكهربائية الحرارية
اتصل شخص: David
