طلب اقتباس |
منزل المنتجاتقناة مزدوجة موسفت

MBR1030CT عالية الجهد موسفت TO-220-3L 30-50v العاصمة حجب الجهد

جميع المنتجات

mosfet قوة ترانزستور

(118)

نصيحة الترانزستورات السلطة

(30)

السيليكون الترانزستور السلطة

(19)

التبديل المزدوج ديود

(15)

مجال تأثير الترانزستور موس

(29)

قناة مزدوجة موسفت

(10)

انتعاش سريع المعدل ديود

(6)

السلطة زينر ديود

(6)

شوتكي جسر المعدل

(10)

الجهد العالي المعدل ديود

(15)

الصمام الثلاثي أشباه الموصلات

(9)

الجهد استقرار IC

(14)
شهادة
الصين Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd الشهادات
الصين Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd الشهادات
زبون مراجعة
نتعاون مع Hua Xuan Yang بشكل كبير بسبب كفاءتهم المهنية ، واستجابتهم الشديدة لتخصيص المنتجات التي نحتاجها ، وتسوية جميع احتياجاتنا ، وقبل كل شيء ، فهي توفر خدمات عالية الجودة.

—— —— جيسون من كندا

بناءً على توصية صديقي ، نعرف عن Hua Xuan Yang ، وهو خبير كبير في صناعة أشباه الموصلات والمكونات الإلكترونية ، والذي مكننا من تقليل وقتنا الثمين وعدم الاضطرار إلى تجربة مصانع أخرى.

—— —— Виктор من روسيا

ابن دردش الآن

MBR1030CT عالية الجهد موسفت TO-220-3L 30-50v العاصمة حجب الجهد

MBR1030CT عالية الجهد موسفت TO-220-3L 30-50v العاصمة حجب الجهد
MBR1030CT عالية الجهد موسفت TO-220-3L 30-50v العاصمة حجب الجهد

صورة كبيرة :  MBR1030CT عالية الجهد موسفت TO-220-3L 30-50v العاصمة حجب الجهد

تفاصيل المنتج:
مكان المنشأ: الصين شنتشن
اسم العلامة التجارية: Hua Xuan Yang
إصدار الشهادات: RoHS、SGS
رقم الموديل: MBR1030CT
شروط الدفع والشحن:
الحد الأدنى لكمية: 1000-2000 جهاز كمبيوتر شخصى
الأسعار: Negotiated
تفاصيل التغليف: يعلّب
وقت التسليم: 1 - 2 أسبوع
شروط الدفع: L / CT / T ويسترن يونيون
القدرة على العرض: 18،000،000PCS / في اليوم الواحد
اتصل

MBR1030CT عالية الجهد موسفت TO-220-3L 30-50v العاصمة حجب الجهد

وصف
نوع: شوتكي حاجز تشيب ميزة: ارتفاع قدرة عالية
العاصمة حجب الجهد: 30-50v IFSM: 125A
معرف المنتج: MBR1030CT قوة تبديد: 2 واط
تسليط الضوء:

بوابة مزدوجة mosfet

,

عالية السرعة mosfet

MBR1030CT ، 35CT ، 40CT ، 45CT ، 50CT ، 60CT TO-220-3L الثنائيات المغلفة بالبلاستيك


خاصية
شوتكي حاجز تشيب
انخفاض فقدان الطاقة ، وكفاءة عالية
حارس حلقة يموت البناء للحماية عابرة
ارتفاع قدرة عالية
قدرة عالية الحالية وانخفاض انخفاض الجهد إلى الأمام
MAXIMUMRATINGS (تا = 25 ℃ unlessotherwisenoted)
ELECTRICALCHARACTERISTICS (تا = 25 ℃ unlessotherwisespecified)
PackageOutlineDimensions

بطاقة:

وضع تحسين mosfet,

mosfet عالية السرعة,بوابة مزدوجة mosfet,

عالية السرعة mosfet

تفاصيل الاتصال
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

اتصل شخص: David

إرسال استفسارك مباشرة لنا (0 / 3000)

منتجات أخرى
انتعاش سريع ثنائي القناة Mosfet Rs1a من خلال Rs1m سطح جبل

انتعاش سريع ثنائي القناة Mosfet Rs1a من خلال Rs1m سطح جبل

نوع: انتعاش سريع المعدل ديود

ميزة: للتطبيقات التي شنت السطح

إستقطابية: الفرقة اللون يدل على نهاية الكاثود

وزن: 0.002 أونصة ، 0.07 غرام
RS2A THRU RS2M موسفيت ثنائي الطاقة ، موسفيت عالي الجهد 0.002 أونصة 0.002 أونصة 0.07 جرام 0.07 جرام

RS2A THRU RS2M موسفيت ثنائي الطاقة ، موسفيت عالي الجهد 0.002 أونصة 0.002 أونصة 0.07 جرام 0.07 جرام

نوع: انتعاش سريع المعدل ديود

ميزة: القابلية للاشتعال تصنيف 94V-0

قاعدة موقع: أي

وزن: 0.002 أونصة ، 0.07 غرام
RS3A THRU RS3M قناة مزدوجة Mosfet 250 C / 10 ثانية في المحطات

RS3A THRU RS3M قناة مزدوجة Mosfet 250 C / 10 ثانية في المحطات

نوع: انتعاش سريع المعدل ديود

ميزة: 250 درجة مئوية / 10 ثانية في المحطات

انتهائيّة: يؤدي محوري مطلي ، لحام في MIL-STD-750 ،

وزن: 0.003ounce، 0.093grams
FR301 THRU FR307 وضع تحسين Mosfet ، عالية الجهد قوة Mosfet

FR301 THRU FR307 وضع تحسين Mosfet ، عالية الجهد قوة Mosfet

نوع: تبديل الديودود

ميزة: انخفاض تسرب العكسي

انتهائيّة: يؤدي محوري مطلي ، لحام في MIL-STD-750 ،

وزن: 0.04 أونصة ، 1.10 غرام
FR301 THRU FR307 قناة مزدوجة موسفيت للأمام الحالي - 3.0 أمبير

FR301 THRU FR307 قناة مزدوجة موسفيت للأمام الحالي - 3.0 أمبير

نوع: تبديل الديودود

ميزة: انخفاض تسرب العكسي

انتهائيّة: يؤدي محوري مطلي ، لحام في MIL-STD-750 ،

وزن: 0.04 أونصة ، 1.10 غرام
حول

mosfet قوة ترانزستور

HXY4616 الترانزستور مستوى المنطق ، عالية الجهد الترانزستور 30V MOSFET التكميلية

HXY4616 Mosfet Power Transistor ± 20V VGS Voltage VDS 40V VGS ± 20v

20G04S 40V Mosfet السلطة الترانزستور N + P وضع قناة تعزيز MOSFET

ترك رسالة

سياسة الخصوصية | الصين جيّد جودة mosfet قوة ترانزستور المزود. © 2019 - 2022 mosfet-powertransistor.com. All Rights Reserved.

اترك رسالة