MBR3045CT شوتكي الجسر المعدل السلطة تبديد 2 واط القدرة على زيادة عالية

Name: MBR3045CT شوتكي الجسر المعدل السلطة تبديد 2 واط القدرة على زيادة عالية
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: MBR3045CT

جميع المنتجات

mosfet قوة ترانزستور
(118)

نصيحة الترانزستورات السلطة
(30)

السيليكون الترانزستور السلطة
(19)

التبديل المزدوج ديود
(15)

مجال تأثير الترانزستور موس
(29)

قناة مزدوجة موسفت
(10)

انتعاش سريع المعدل ديود
(6)

السلطة زينر ديود
(6)

شوتكي جسر المعدل
(10)

الجهد العالي المعدل ديود
(15)

الصمام الثلاثي أشباه الموصلات
(9)

الجهد استقرار IC
(14)

شهادة

الصين Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd الشهادات

زبون مراجعة

نتعاون مع Hua Xuan Yang بشكل كبير بسبب كفاءتهم المهنية ، واستجابتهم الشديدة لتخصيص المنتجات التي نحتاجها ، وتسوية جميع احتياجاتنا ، وقبل كل شيء ، فهي توفر خدمات عالية الجودة.

—— —— جيسون من كندا

بناءً على توصية صديقي ، نعرف عن Hua Xuan Yang ، وهو خبير كبير في صناعة أشباه الموصلات والمكونات الإلكترونية ، والذي مكننا من تقليل وقتنا الثمين وعدم الاضطرار إلى تجربة مصانع أخرى.

—— —— Виктор من روسيا

ابن دردش الآن

MBR3045CT شوتكي الجسر المعدل السلطة تبديد 2 واط القدرة على زيادة عالية

صورة كبيرة : MBR3045CT شوتكي الجسر المعدل السلطة تبديد 2 واط القدرة على زيادة عالية

تفاصيل المنتج:

مكان المنشأ:	الصين شنتشن
اسم العلامة التجارية:	Hua Xuan Yang
إصدار الشهادات:	RoHS、SGS
رقم الموديل:	MBR3045CT

شروط الدفع والشحن:

الحد الأدنى لكمية:	1000-2000 جهاز كمبيوتر شخصى
الأسعار:	Negotiated
تفاصيل التغليف:	يعلّب
وقت التسليم:	1 - 2 أسبوع
شروط الدفع:	L / CT / T ويسترن يونيون
القدرة على العرض:	18،000،000PCS / في اليوم الواحد

اتصل

MBR3045CT شوتكي الجسر المعدل السلطة تبديد 2 واط القدرة على زيادة عالية

وصف

قوة mosfet ترانزستور:	TO-220-3L الثنائيات المغلفة بالبلاستيك	نوع:	شوتكي حاجز تشيب
قوة تبديد:	2 واط	IO:	10A
معرف المنتج:	MBR3045CT	تستج:	-55 ~ + 150
تسليط الضوء:	شوتكي ديود جسر المعدل , وتحديد شوتكي ديود

MBR2030CT ، 35CT ، 40CT ، 45CT ، 50CT ، 60CT TO-220-3L الثنائيات المغلفة بالبلاستيك

خاصية

شوتكي حاجز تشيب

انخفاض فقدان الطاقة ، وكفاءة عالية

حارس حلقة يموت البناء للحماية عابرة

ارتفاع قدرة عالية

قدرة عالية الحالية وانخفاض انخفاض الجهد إلى الأمام

MAXIMUMRATINGS (تا = 25 ℃ unlessotherwisenoted)

ELECTRICALCHARACTERISTICS (تا = 25 ℃ unlessotherwisespecified)

الخصائص النموذجية

بطاقة:

وتحديد شوتكي ديود,شوتكي ديود جسر المعدل,

شوتكي حاجز ديود المعدل

تفاصيل الاتصال

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

اتصل شخص: David

منتجات أخرى

MBR10150CT الثنائيات جسر شوتكي المعدل TO-220-3L مغلفة الثنائيات

قوة mosfet ترانزستور: TO-220-3L غلاف بلاستيكي
ميزة: شوتكي حاجز تشيب
متوسط الانتاج الحالي تصحيح: 10A
قوة تبديد: 2 واط

MBR10150 ، 200 شوتكي ديود جسر المعدل ، ديود جسر المعدل

قوة mosfet ترانزستور: TO-220-3L الثنائيات المغلفة بالبلاستيك
العاصمة حجب الجهد: 150 / 200V
متوسط الانتاج الحالي تصحيح: 10A
قوة تبديد: 2 واط

MBRB10100CT-B شوتكي الجسر المعدل منخفضة الطاقة فقدان عالية الكفاءة

قوة mosfet ترانزستور: TO-263-2L الثنائيات المغلفة بالبلاستيك
نوع: شوتكي جسر المعدل
ميزة: انخفاض فقدان الطاقة ، وكفاءة عالية
RMS الجهد العكسي: 70V

MBR1070CT ~ 100CT السامية الحالية شوتكي ديود ، سيليكون جسر المعدل

قوة mosfet ترانزستور: TO-220-3L الثنائيات المغلفة بالبلاستيك
تبديد الطاقة: 2W
IFSM: 150A
IO: 10A

MBR1070CT شوتكي بريدج المعدل متوسط الناتج المعدل الحالي 10 أ

قوة mosfet ترانزستور: TO-220-3L الثنائيات المغلفة بالبلاستيك
متوسط الانتاج الحالي تصحيح: 10 A
IFSM: 150A

حول

معلومات عنا

جولة في المعمل

مراقبة الجودة

اتصل بنا

أخبار

خريطة الموقع

mosfet قوة ترانزستور

HXY4616 الترانزستور مستوى المنطق ، عالية الجهد الترانزستور 30V MOSFET التكميلية

HXY4616 Mosfet Power Transistor ± 20V VGS Voltage VDS 40V VGS ± 20v

20G04S 40V Mosfet السلطة الترانزستور N + P وضع قناة تعزيز MOSFET

ترك رسالة

سياسة الخصوصية | الصين جيّد جودة mosfet قوة ترانزستور المزود. © 2019 - 2022 mosfet-powertransistor.com. All Rights Reserved.

اترك رسالة

MBR3045CT شوتكي الجسر المعدل السلطة تبديد 2 واط القدرة على زيادة عالية

MBR3045CT شوتكي الجسر المعدل السلطة تبديد 2 واط القدرة على زيادة عالية

MBR3045CT شوتكي الجسر المعدل السلطة تبديد 2 واط القدرة على زيادة عالية

شوتكي ديود جسر المعدل

وتحديد شوتكي ديود

حاجز شوتكي ديود المعدل,

وتحديد شوتكي ديود,شوتكي ديود جسر المعدل,