P ترانزستور نوع N ، 19P03 DUV الجهد العالي السلطة Mosfet

P ترانزستور نوع N ، 19P03 DUV الجهد العالي السلطة Mosfet

N نوع مقدمة الترانزستور

السلطة MOSFET هو نوع خاص من الترانزستور تأثير حقل أشباه الموصلات أكسيد المعادن. إنه مصمم خصيصًا للتعامل مع القوى العالية المستوى. السلطة MOSFET هي التي شيدت في تكوين الخامس. لذلك ، يطلق عليه أيضًا V-MOSFET ، VFET. يتم عرض رموز قوة القناة N و القناة MOSFET في الشكل أدناه.

ن نوع الترانزستور الميزة

-30V / -90A
R DS (ON) = 4.8mΩ (typ.)V GS = 10V
R DS (ON) = 6.5mΩ (typ.)V GS = 4.5V
100 ٪ الانهيار اختبارها
موثوقة وعرة
خالية من الرصاص والأجهزة الخضراء
متاح (بنفايات متوافقة)

ن تطبيقات الترانزستور نوع

تبديل التطبيق

إدارة الطاقة لأنظمة العاكس.

طلب المعلومات ووضع العلامات عليها

دي يو
19P03 19P03 19P03
YYXXXJWW G YYXXXJWW G YYXXXJWW G
حزمة رمز
D: TO-252-2L U: TO-251-3L V: TO-251-3S
التاريخ رمز التجميع المواد
YYXXX WW G: خال من الهالوجين

ملاحظة: تحتوي منتجات HUAYI الخالية من الرصاص على مركبات صب / مواد إرفاق بالقالب ولوح قصدير غير لامع 100٪
إنهاء Termi-Nation ، والذي يتوافق تمامًا مع RoHS. تلبي منتجات HUAYI الخالية من الرصاص أو تتجاوز
متطلبات مجانية من IPC / JEDEC J-STD-020 لتصنيف MSL في درجة حرارة إنحسار الذروة الخالية من الرصاص.
تعرف HUAYI "الأخضر" على أنها خالية من الرصاص (متوافقة مع RoHS) وخالية من الهالوجين (لا يتجاوز Br أو Cl
900 جزء في المليون بالوزن في مادة متجانسة ومجموع Br و Cl لا يتجاوز 1500 جزء في المليون بالوزن).
تحتفظ HUAYI بحقها في إجراء التغييرات والتصحيحات والتحسينات والتعديلات ونواتج التحسين إلى
هذه العلاقات العامة و / أو هذه الوثيقة في أي وقت دون إشعار مسبق.

الحد الأقصى لالتقييمات المطلقة

ملاحظة: * تصنيف المتكررة. يقتصر عرض النبض على درجة حرارة الوصلة القصوى.
** سطح مركب على لوح FR-4.
*** محدود بـ TJ max ، يبدأ من TJ = 25 درجة مئوية ، L = 0.3mH ، RG = 25Ω ، V GS = 10V.

الخصائص الكهربائية (ح = 25 درجة مئوية ما لم يذكر خلاف ذلك)

الخصائص الكهربائية (تكملة) (ح = 25 درجة مئوية ما لم تتم الإشارة إلى خلاف ذلك)

ملاحظة: * اختبار النبض. عرض النبضة ≤ 300us ، دورة العمل ≤ 2٪