|
تفاصيل المنتج:
|
| اسم المنتج: | مجال تأثير الترانزستور موس | V DSS استنزاف مصدر الجهد: | 30 فولت |
|---|---|---|---|
| V GSS بوابة مصدر الجهد: | V 20 فولت | TJ أقصى درجة حرارة تقاطع: | 175 درجة مئوية |
| T STG نطاق درجة حرارة التخزين: | -55 إلى 150 درجة مئوية | مصدر التيار المستمر (ديود الجسم): | 100A |
| تسليط الضوء: | التبديل mosfet المنطق,سائق mosfet باستخدام الترانزستور |
||
الطاقة الخطية موس تأثير الحقل الترانزستور العمودي 3403D الأشعة فوق البنفسجية
موس تأثير الحقل الترانزستور الوصف
يتم استخدام الترانزستور Mos Field Effect في العديد من تطبيقات الإمداد بالطاقة والطاقة العامة ، لا سيما كمفاتيح التبديل. يتضمن الخيار s MOSFETs المستوية ، VMOS ، UMOS TrenchMOS ، HEXFETs وغيرها من الأسماء التجارية المختلفة.
موس تأثير الحقل الترانزستور الميزة
30V / 100A
R DS (ON) = 2.4mΩ (typ.)V GS = 10V
R DS (ON) = 2.9mΩ (typ.)V GS = 4.5V
100 ٪ أفالانش اختبار
موثوقة وعرة
الأجهزة الخالية من الهالوجين والأخضر المتاحة
(بنفايات متوافقة)
تطبيقات
نظم عالية التردد باك متزامن
محولات الطاقة لمعالج الكمبيوتر
عالية التردد معزولة DC-DC
محولات مع تصحيح متزامن
للاتصالات والاستخدام الصناعي
طلب المعلومات ووضع العلامات عليها
دي يو
3403 3403 3403
YYXXXJWW G YYXXXJWW G YYXXXJWW G
حزمة رمز
D: TO-252-2L U: TO-251-3L V: TO-251-3S
التاريخ رمز التجميع المواد
YYXXX WW G: خال من الهالوجين
ملاحظة: - تحتوي المنتجات المجانية على مركبات صب / مواد إرفاق بالقالب و لوح قصدير غير لامع 100 ٪Termi-
الانتهاء من الأمة والتي متوافقة تماما مع بنفايات. - منتجات مجانية تلبي أو تتجاوز خالية من الرصاص -
أجهزة IPC / JEDEC J-STD-020 لتصنيف MSL في درجة حرارة إنحسار الذروة الخالية من الرصاص. "أخضر"
تعني خالية من الرصاص (متوافقة مع RoHS) وخالية من الهالوجين (Br أو Cl لا يتجاوز 900 جزء في المليون بالوزن في متجانسة
المواد ومجموع Br و Cl لا يتجاوز 1500ppm بالوزن).
تحتفظ لنفسها بالحق في إجراء تغييرات وتصحيحات وتحسينات وتعديلات وإدخال تحسينات على هذا المنتج و / أو هذا المستند في أي وقت دون إشعار.
الحد الأقصى لالتقييمات المطلقة
اتصل شخص: David
