|
تفاصيل المنتج:
|
| اسم المنتج: | حقل التأثير الترانزستور | V DSS استنزاف مصدر الجهد: | 40V |
|---|---|---|---|
| V GSS بوابة مصدر الجهد: | V 20 فولت | TJ أقصى درجة حرارة تقاطع: | 175 درجة مئوية |
| T STG نطاق درجة حرارة التخزين: | -55 إلى 150 درجة مئوية | مصدر التيار المستمر (ديود الجسم): | 250A |
| تسليط الضوء: | التبديل mosfet المنطق,سائق mosfet باستخدام الترانزستور |
||
موثوقة وعرة تأثير الحقل الترانزستور / عالية التردد موسفت
مجال تأثير الترانزستور الميزة
40V / 250A
R DS (ON) = m (typ.) @ V GS = 10V
100 ٪ الانهيار اختبارها
Reliableand وعرة
يؤدي FreeandGreenDevicesAvailable
(RoHSCompliant)
تطبيقات ترانزستور التأثير الميداني
تبديل التطبيق
إدارة الطاقة لأنظمة العاكس
الحد الأقصى لالتقييمات المطلقة
اتصل شخص: David
