|
تفاصيل المنتج:
|
| اسم المنتج: | ترانزستور مفتاح الطاقة | نموذج: | AP12N10D |
|---|---|---|---|
| حزمة: | TO-252 | العلامات: | AP12N10D |
| جهد مصدر استنزاف VDS: | 100V | الجهد VGSGate-Sou rce: | ± 20 أ |
| تسليط الضوء: | n قناة الترانزستور mosfet,الترانزستور عالية الجهد |
||
AP12N10D ترانزستور مفتاح الطاقة ، ترانزستور الطاقة السيليكون الأصلي
الوصف العام :
يستخدم AP12N10D تكنولوجيا الخندق المتقدمة
لتوفير RDS ممتازة (ON) ، منخفضة تهمة البوابة و
العملية مع جهد البوابة منخفضة 4.5V. هذه
الجهاز مناسب للاستخدام كـ
حماية البطارية أو في تطبيق التحويل الآخر.
الملامح العامة
VDS = 100V ID = 5A
RDS (ON) <140mΩ @ VGS = 4.5V
تطبيق
حماية البطارية
تبديل الحمل
مصدر طاقة غير منقطع
تأشير الحزمة ومعلومات الطلب
| معرف المنتج | رزمة | العلامات | الكمية (أجهزة الكمبيوتر) |
| AP12N10D | TO-252 | AP12N10D | 3000 |
التقييمات القصوى المطلقة عند Tj = 25 ℃ ما لم يذكر خلاف ذلك
| معامل | رمز | القيمة | وحدة |
| استنزاف مصدر الجهد | VDS | 100 | الخامس |
| مصدر جهد البوابة | VGS | ± 20 | الخامس |
| تيار التصريف المستمر ، TC = 25 ℃ | هوية شخصية | 12 | أ |
| تيار التصريف النبضي ، T = 25 ℃ | ID ، نبض | 24 | أ |
| تبديد الطاقة ، TC = 25 ℃ | ص د | 17 | دبليو |
| الطاقة الانهيارية النبضية المفردة 5) | EAS | 1.2 | إم جي |
| درجة حرارة التشغيل والتخزين | Tstg ، Tj | -55 إلى 150 | ℃ |
| المقاومة الحرارية ، حالة تقاطع | RθJC | 7.4 | ℃ / W |
| المقاومة الحرارية ، الوصل المحيط 4) | رجا | 62 | ℃ / W |
الخصائص الكهربائية عند Tj = 25 ℃ ما لم يذكر خلاف ذلك
| رمز | معامل | شرط الاختبار | الحد الأدنى. | النوع. | ماكس. | وحدة |
| BVDSS | جهد انهيار مصدر الصرف | V = 0 V ، ID = 250 μA | 100 | الخامس | ||
| VGS (عشر) | بوابة عتبة الجهد | V = V ، ID = 250 μA | 1.2 | 1.5 | 2.5 | الخامس |
| RDS (تشغيل) | مقاومة الصرف من الدولة | VGS = 10 فولت ، معرف = 5 أ | 110 | 140 | مΩ | |
| RDS (تشغيل) | مقاومة الصرف من الدولة | V = 4.5 فولت ، معرف = 3 أ | 140 | 180 | مΩ | |
IGSS | تيار التسرب من مصدر البوابة | V = 20 فولت | 100 | لا | ||
| V = -20 فولت | -100 | |||||
| IDSS | تيار التسرب من مصدر الصرف | VDS = 100 فولت ، VGS = 0 فولت | 1 | ش ش | ||
| سيس | سعة الإدخال | V = 0 فولت ، | 206.1 | ص | ||
| كوس | سعة الإخراج | 28.9 | ص | |||
| Crss | سعة النقل العكسي | 1.4 | ص | |||
| td (تشغيل) | وقت تأخير التشغيل | VGS = 10 فولت ، VDS = 50 فولت ، | 14.7 | نانوثانية | ||
| tr | وقت الشروق | 3.5 | نانوثانية | |||
| td (إيقاف) | وقت تأخير الإيقاف | 20.9 | نانوثانية | |||
ر F | وقت السقوط | 2.7 | نانوثانية | |||
| Qg | إجمالي رسوم البوابة | 4.3 | نورث كارولاينا | |||
| Qgs | رسوم مصدر البوابة | 1.5 | نورث كارولاينا | |||
| Qgd | تهمة استنزاف البوابة | 1.1 | نورث كارولاينا | |||
| Vplateau | هضبة بوابة الجهد | 5.0 | الخامس | |||
| يكون | الصمام الثنائي الحالي | VGS <Vth | 7 | أ | ||
| ISP | مصدر التيار النبضي | 21 | ||||
| VSD | الصمام الثنائي إلى الأمام | IS = 7 أمبير ، VGS = 0 فولت | 1.0 | الخامس | ||
ر ص | وقت الاسترداد العكسي | 32.1 | نانوثانية | |||
| ريال قطري | رسوم الاسترداد العكسي | 39.4 | نورث كارولاينا | |||
| ايرم | ذروة الاسترداد العكسي الحالي | 2.1 | أ |
| رمز | معامل | شرط الاختبار | الحد الأدنى. | النوع. | ماكس. | وحدة |
| BVDSS | جهد انهيار مصدر الصرف | V = 0 V ، ID = 250 μA | 100 | الخامس | ||
| VGS (عشر) | بوابة عتبة الجهد | V = V ، ID = 250 μA | 1.2 | 1.5 | 2.5 | الخامس |
| RDS (تشغيل) | مقاومة الصرف من الدولة | VGS = 10 فولت ، معرف = 5 أ | 110 | 140 | مΩ | |
| RDS (تشغيل) | مقاومة الصرف من الدولة | V = 4.5 فولت ، معرف = 3 أ | 140 | 180 | مΩ | |
IGSS | تيار التسرب من مصدر البوابة | V = 20 فولت | 100 | لا | ||
| V = -20 فولت | -100 | |||||
| IDSS | تيار التسرب من مصدر الصرف | VDS = 100 فولت ، VGS = 0 فولت | 1 | ش ش | ||
| سيس | سعة الإدخال | V = 0 فولت ، | 206.1 | ص | ||
| كوس | سعة الإخراج | 28.9 | ص | |||
| Crss | سعة النقل العكسي | 1.4 | ص | |||
| td (تشغيل) | وقت تأخير التشغيل | VGS = 10 فولت ، VDS = 50 فولت ، | 14.7 | نانوثانية | ||
| tr | وقت الشروق | 3.5 | نانوثانية | |||
| td (إيقاف) | وقت تأخير الإيقاف | 20.9 | نانوثانية | |||
ر F | وقت السقوط | 2.7 | نانوثانية | |||
| Qg | إجمالي رسوم البوابة | ID = 5 A ، VDS = 50 فولت ، VGS = 10 فولت | 4.3 | نورث كارولاينا | ||
| Qgs | رسوم مصدر البوابة | 1.5 | نورث كارولاينا | |||
| Qgd | تهمة استنزاف البوابة | 1.1 | نورث كارولاينا | |||
| Vplateau | هضبة بوابة الجهد | 5.0 | الخامس | |||
| يكون | الصمام الثنائي الحالي | VGS <Vth | 7 | أ | ||
| ISP | مصدر التيار النبضي | 21 | ||||
| VSD | الصمام الثنائي إلى الأمام | IS = 7 أمبير ، VGS = 0 فولت | 1.0 | الخامس | ||
ر ص | وقت الاسترداد العكسي | IS = 5 A ، di / dt = 100 A / μs | 32.1 | نانوثانية | ||
| ريال قطري | رسوم الاسترداد العكسي | 39.4 | نورث كارولاينا | |||
| ايرم | ذروة الاسترداد العكسي الحالي | 2.1 | أ |
انتباه
1 ، لا تحتوي جميع وجميع منتجات APM Microelectronics الموصوفة أو الواردة هنا على مواصفات يمكنها التعامل مع التطبيقات التي تتطلب مستويات عالية للغاية من الموثوقية ، مثل أنظمة دعم الحياة أو أنظمة التحكم في الطائرات أو التطبيقات الأخرى التي يُتوقع أن يؤدي فشلها إلى حد معقول أضرار مادية و / أو مادية خطيرة. استشر ممثل APM Microelectronics الأقرب إليك قبل استخدام أي من منتجات APM Microelectronics الموضحة أو المضمنة هنا في مثل هذه التطبيقات.
2 ، لا تتحمل APM Microelectronics أي مسؤولية عن أعطال المعدات التي تنتج عن استخدام منتجات بقيم تتجاوز ، حتى للحظات ، القيم المصنفة (مثل الحد الأقصى للتصنيفات ، أو نطاقات ظروف التشغيل ، أو المعلمات الأخرى) المدرجة في مواصفات المنتجات لأي وجميع منتجات APM Microelectronics موصوفة أو الواردة هنا.
3 ، مواصفات أي وجميع منتجات APM Microelectronics الموصوفة أو الواردة هنا تشوه أداء وخصائص ووظائف المنتجات الموصوفة في الحالة المستقلة ، وليست ضمانات لأداء وخصائص ووظائف المنتجات الموصوفة كما تم تركيبها في منتجات أو معدات العميل. للتحقق من الأعراض والحالات التي لا يمكن تقييمها في جهاز مستقل ، يجب على العميل دائمًا تقييم واختبار الأجهزة المركبة في منتجات العميل أو معداته.
4، APM Microelectronics Semiconductor CO.، LTD. تسعى جاهدة لتوريد منتجات عالية الجودة وموثوقية عالية. ومع ذلك ، فإن أي وجميع منتجات أشباه الموصلات تفشل مع بعض الاحتمالات. من الممكن أن تؤدي هذه الإخفاقات الاحتمالية إلى حوادث أو أحداث يمكن أن تعرض حياة البشر للخطر والتي يمكن أن تؤدي إلى دخان أو حريق ، أو يمكن أن يتسبب في تلف الممتلكات الأخرى. عند تصميم المعدات ، تبني إجراءات السلامة بحيث لا يمكن أن تحدث هذه الأنواع من الحوادث أو الأحداث. تشمل هذه التدابير على سبيل المثال لا الحصر الدوائر الواقية ودوائر الوقاية من الأخطاء من أجل التصميم الآمن والتصميم الزائد والتصميم الهيكلي.
5 ، في حالة خضوع أي أو جميع منتجات APM Microelectronics (بما في ذلك البيانات التقنية والخدمات) الموضحة أو الواردة في هذه الوثيقة للرقابة بموجب أي من القوانين واللوائح المحلية لمراقبة الصادرات المعمول بها ، يجب ألا يتم تصدير هذه المنتجات دون الحصول على ترخيص التصدير من السلطات المعنية وفقا للقانون أعلاه.
6 ، لا يجوز إعادة إنتاج أو نقل أي جزء من هذا المنشور بأي شكل أو بأي وسيلة ، إلكترونية أو ميكانيكية ، بما في ذلك النسخ والتسجيل ، أو أي نظام تخزين أو استرجاع للمعلومات ، أو غير ذلك ، دون إذن كتابي مسبق من APM Microelectronics Semiconductor CO .، LTD.
7 ، المعلومات (بما في ذلك مخططات الدائرة ومعلمات الدائرة) هنا على سبيل المثال فقط ؛ غير مضمونة لإنتاج الحجم. تعتقد APM Microelectronics أن المعلومات الواردة هنا دقيقة وموثوقة ، ولكن لم يتم تقديم أي ضمانات أو ضمنية فيما يتعلق باستخدامها أو أي انتهاكات لحقوق الملكية الفكرية أو حقوق أخرى لأطراف ثالثة.
8 ، أي وجميع المعلومات الموصوفة أو الواردة هنا عرضة للتغيير دون إشعار بسبب تحسين المنتج / التكنولوجيا ، إلخ. عند تصميم المعدات ، ارجع إلى "مواصفات التسليم" لمنتج APM Microelectronics الذي تنوي استخدامه.
اتصل شخص: David
