طلب اقتباس |
منزل المنتجاتمجال تأثير الترانزستور موس

HXY3400 N نوع تبديل الحمل الترانزستور للتطبيقات المحمولة

جميع المنتجات

mosfet قوة ترانزستور

(118)

نصيحة الترانزستورات السلطة

(30)

السيليكون الترانزستور السلطة

(19)

التبديل المزدوج ديود

(15)

مجال تأثير الترانزستور موس

(29)

قناة مزدوجة موسفت

(10)

انتعاش سريع المعدل ديود

(6)

السلطة زينر ديود

(6)

شوتكي جسر المعدل

(10)

الجهد العالي المعدل ديود

(15)

الصمام الثلاثي أشباه الموصلات

(9)

الجهد استقرار IC

(14)
شهادة
الصين Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd الشهادات
الصين Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd الشهادات
زبون مراجعة
نتعاون مع Hua Xuan Yang بشكل كبير بسبب كفاءتهم المهنية ، واستجابتهم الشديدة لتخصيص المنتجات التي نحتاجها ، وتسوية جميع احتياجاتنا ، وقبل كل شيء ، فهي توفر خدمات عالية الجودة.

—— —— جيسون من كندا

بناءً على توصية صديقي ، نعرف عن Hua Xuan Yang ، وهو خبير كبير في صناعة أشباه الموصلات والمكونات الإلكترونية ، والذي مكننا من تقليل وقتنا الثمين وعدم الاضطرار إلى تجربة مصانع أخرى.

—— —— Виктор من روسيا

ابن دردش الآن

HXY3400 N نوع تبديل الحمل الترانزستور للتطبيقات المحمولة

HXY3400 N نوع تبديل الحمل الترانزستور للتطبيقات المحمولة
HXY3400 N نوع تبديل الحمل الترانزستور للتطبيقات المحمولة

صورة كبيرة :  HXY3400 N نوع تبديل الحمل الترانزستور للتطبيقات المحمولة

تفاصيل المنتج:
مكان المنشأ: الصين شنتشن
اسم العلامة التجارية: Hua Xuan Yang
إصدار الشهادات: RoHS、SGS
رقم الموديل: HXY3400
شروط الدفع والشحن:
الحد الأدنى لكمية: 1000-2000 جهاز كمبيوتر شخصى
الأسعار: Negotiated
تفاصيل التغليف: يعلّب
وقت التسليم: 1 - 2 أسبوع
شروط الدفع: L / CT / T ويسترن يونيون
القدرة على العرض: 18،000،000PCS / في اليوم الواحد
اتصل

HXY3400 N نوع تبديل الحمل الترانزستور للتطبيقات المحمولة

وصف
اسم المنتج: mosfet قوة ترانزستور درجة حرارة مفرق:: 150℃
مواد: السيليكون رقم الموديل: HXY3400
حالة: شريط / صينية / بكرة نوع: الترانزستور mosfet
تسليط الضوء:

الترانزستور الحالي عالية

,

التبديل mosfet المنطق

SOT-23 MOSFETS البلاستيك المغلف HXY3400 N- وضع تعزيز وضع حقل تأثير الترانزستور

ملخص المنتج

المعرف = 6.0 A VDSS = 20 فولت
RDS (on) <32 mΩ VGS = 4.5V
RDS (on) <40 mΩ VGS = 2.5V
خاصية
TrenchFET السلطة MOSFET
الوضعية
محولات DC / DC
تحميل التبديل للتطبيقات المحمولة
الحد الأقصى للتقييمات (Ta = 25 ℃ ما لم يذكر خلاف ذلك)
T = 25 a ℃ ما لم ينص على خلاف ذلك

بطاقة:

التبديل mosfet المنطق,

سائق mosfet باستخدام الترانزستور,الترانزستور الحالي عالية,

التبديل mosfet المنطق

تفاصيل الاتصال
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

اتصل شخص: David

إرسال استفسارك مباشرة لنا (0 / 3000)

حول

mosfet قوة ترانزستور

HXY4616 الترانزستور مستوى المنطق ، عالية الجهد الترانزستور 30V MOSFET التكميلية

HXY4616 Mosfet Power Transistor ± 20V VGS Voltage VDS 40V VGS ± 20v

20G04S 40V Mosfet السلطة الترانزستور N + P وضع قناة تعزيز MOSFET

ترك رسالة

سياسة الخصوصية | الصين جيّد جودة mosfet قوة ترانزستور المزود. © 2019 - 2022 mosfet-powertransistor.com. All Rights Reserved.

اترك رسالة