|
تفاصيل المنتج:
|
| اسم المنتج: | mosfet قوة ترانزستور | نوع: | الترانزستور mosfet |
|---|---|---|---|
| معرف المنتج: | HXY4616 | VDS: | 40V |
| ميزات: | حزمة سطح جبل | VGS: | ± 20V |
| تسليط الضوء: | n قناة الترانزستور mosfet,وارتفاع التبديل mosfet الحالي |
||
HXY4616 30V MOSFET التكميلية
وصف
يستخدم HXY4616 تقنية الخنادق المتقدمة لتوفير RDS (ON) ممتازة ورسوم البوابة المنخفضة. يعد تكوين MOSFET بقناة N و P مثاليًا لتطبيقات العاكس ذات الجهد المنخفض.
أ. يتم قياس قيمة R θ JA بالجهاز المثبت على 1in A = 25 درجة مئوية. تعتمد القيمة في أي تطبيق معين على تصميم لوحة المستخدم الخاصة. 2 FR-4 مجلس مع 2oz. النحاس ، في بيئة لا تزال الهواء مع T
ب. تبديد الطاقة P D يعتمد على T J (MAX) = 150 درجة مئوية ، باستخدام المقاومة الحرارية تقاطع ≤ 10s إلى المحيط. C. التصنيف المتكرر ، عرض النبضة محدود بواسطة درجة حرارة الوصلة T J (MAX) = 150 درجة مئوية. تعتمد التقييمات على دورات التكرار والواجب المنخفضة للحفاظ على الأحرف الأولى J = 25 درجة مئوية.
D. R θ JA هي مجموع العائق الحراري من الوصلة إلى الرصاص R θ JL ويؤدي إلى المحيط.
يتم الحصول على الخصائص الساكنة في الأشكال من 1 إلى 6 باستخدام نبضات <300µ ، ودورة العمل 0.5٪ كحد أقصى.
F. تستند هذه المنحنيات إلى المعاوقة الحرارية من الوصلات إلى المحيط والتي تقاس بالجهاز المركب على لوح 1in 2 FR-4 مع 2oz. النحاس ، بافتراض درجة حرارة تقاطع قصوى قدرها T J (MAX) = 150 درجة مئوية. يوفر منحنى الخدمية راتين نبضة واحدة g.
اتصل شخص: David
