طلب اقتباس |
منزل المنتجاتشوتكي جسر المعدل

MBR3060CT / MBR3060FCT شوتكي حاجز المعدل ديود قدرة عرام عالية

جميع المنتجات

mosfet قوة ترانزستور

(118)

نصيحة الترانزستورات السلطة

(30)

السيليكون الترانزستور السلطة

(19)

التبديل المزدوج ديود

(15)

مجال تأثير الترانزستور موس

(29)

قناة مزدوجة موسفت

(10)

انتعاش سريع المعدل ديود

(6)

السلطة زينر ديود

(6)

شوتكي جسر المعدل

(10)

الجهد العالي المعدل ديود

(15)

الصمام الثلاثي أشباه الموصلات

(9)

الجهد استقرار IC

(14)
شهادة
الصين Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd الشهادات
الصين Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd الشهادات
زبون مراجعة
نتعاون مع Hua Xuan Yang بشكل كبير بسبب كفاءتهم المهنية ، واستجابتهم الشديدة لتخصيص المنتجات التي نحتاجها ، وتسوية جميع احتياجاتنا ، وقبل كل شيء ، فهي توفر خدمات عالية الجودة.

—— —— جيسون من كندا

بناءً على توصية صديقي ، نعرف عن Hua Xuan Yang ، وهو خبير كبير في صناعة أشباه الموصلات والمكونات الإلكترونية ، والذي مكننا من تقليل وقتنا الثمين وعدم الاضطرار إلى تجربة مصانع أخرى.

—— —— Виктор من روسيا

ابن دردش الآن

MBR3060CT / MBR3060FCT شوتكي حاجز المعدل ديود قدرة عرام عالية

MBR3060CT / MBR3060FCT شوتكي حاجز المعدل ديود قدرة عرام عالية
MBR3060CT / MBR3060FCT شوتكي حاجز المعدل ديود قدرة عرام عالية MBR3060CT / MBR3060FCT شوتكي حاجز المعدل ديود قدرة عرام عالية

صورة كبيرة :  MBR3060CT / MBR3060FCT شوتكي حاجز المعدل ديود قدرة عرام عالية

تفاصيل المنتج:
مكان المنشأ: الصين شنتشن
اسم العلامة التجارية: Hua Xuan Yang
إصدار الشهادات: RoHS、SGS
رقم الموديل: MBR3060CT / MBR3060FCT
شروط الدفع والشحن:
الحد الأدنى لكمية: 1000-2000 جهاز كمبيوتر شخصى
الأسعار: Negotiated
تفاصيل التغليف: يعلّب
وقت التسليم: 1 - 2 أسبوع
شروط الدفع: L / CT / T ويسترن يونيون
القدرة على العرض: 18،000،000PCS / في اليوم الواحد
اتصل

MBR3060CT / MBR3060FCT شوتكي حاجز المعدل ديود قدرة عرام عالية

وصف
قوة mosfet ترانزستور: TO-220-3L الثنائيات المغلفة بالبلاستيك نوع: شوتكي حاجز تشيب
استعمال: قلاب high frequency RMS الجهد العكسي: 42V
معرف المنتج: MBR3060CT العمل الذروة عكس الجهد: 60V
تسليط الضوء:

شوتكي ديود جسر المعدل

,

شوتكي حاجز ديود المعدل

MBR3060CT / MBR3060FCT TO-220-3L ديود تغليف مغلف


خاصية
شوتكي حاجز تشيب
انخفاض فقدان الطاقة ، وكفاءة عالية
حارس حلقة يموت البناء للحماية عابرة
ارتفاع قدرة عالية
قدرة عالية الحالية وانخفاض انخفاض الجهد إلى الأمام
للاستخدام في محولات التردد المنخفض ، العجلة الحرة ،
وتطبيقات حماية القطبية
MAXIMUMRATINGS (تا = 25 ℃ unlessotherwisenoted)
ELECTRICALCHARACTERISTICS (تا = 25 ℃ unlessotherwisespecified)
الخصائص النموذجية

بطاقة:

حاجز شوتكي ديود المعدل,

وتحديد شوتكي ديود,شوتكي ديود جسر المعدل,

شوتكي حاجز ديود المعدل

تفاصيل الاتصال
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

اتصل شخص: David

إرسال استفسارك مباشرة لنا (0 / 3000)

منتجات أخرى
MBR10150CT الثنائيات جسر شوتكي المعدل TO-220-3L مغلفة الثنائيات

MBR10150CT الثنائيات جسر شوتكي المعدل TO-220-3L مغلفة الثنائيات

قوة mosfet ترانزستور: TO-220-3L غلاف بلاستيكي

ميزة: شوتكي حاجز تشيب

متوسط ​​الانتاج الحالي تصحيح: 10A

قوة تبديد: 2 واط
MBR10150 ، 200 شوتكي ديود جسر المعدل ، ديود جسر المعدل

MBR10150 ، 200 شوتكي ديود جسر المعدل ، ديود جسر المعدل

قوة mosfet ترانزستور: TO-220-3L الثنائيات المغلفة بالبلاستيك

العاصمة حجب الجهد: 150 / 200V

متوسط ​​الانتاج الحالي تصحيح: 10A

قوة تبديد: 2 واط
MBRB10100CT-B شوتكي الجسر المعدل منخفضة الطاقة فقدان عالية الكفاءة

MBRB10100CT-B شوتكي الجسر المعدل منخفضة الطاقة فقدان عالية الكفاءة

قوة mosfet ترانزستور: TO-263-2L الثنائيات المغلفة بالبلاستيك

نوع: شوتكي جسر المعدل

ميزة: انخفاض فقدان الطاقة ، وكفاءة عالية

RMS الجهد العكسي: 70V
MBR1070CT ~ 100CT السامية الحالية شوتكي ديود ، سيليكون جسر المعدل

MBR1070CT ~ 100CT السامية الحالية شوتكي ديود ، سيليكون جسر المعدل

قوة mosfet ترانزستور: TO-220-3L الثنائيات المغلفة بالبلاستيك

تبديد الطاقة: 2W

IFSM: 150A

IO: 10A
MBR1070CT شوتكي بريدج المعدل متوسط ​​الناتج المعدل الحالي 10 أ

MBR1070CT شوتكي بريدج المعدل متوسط ​​الناتج المعدل الحالي 10 أ

قوة mosfet ترانزستور: TO-220-3L الثنائيات المغلفة بالبلاستيك

متوسط ​​الانتاج الحالي تصحيح: 10 A

IFSM: 150A

حول

mosfet قوة ترانزستور

HXY4616 الترانزستور مستوى المنطق ، عالية الجهد الترانزستور 30V MOSFET التكميلية

HXY4616 Mosfet Power Transistor ± 20V VGS Voltage VDS 40V VGS ± 20v

20G04S 40V Mosfet السلطة الترانزستور N + P وضع قناة تعزيز MOSFET

ترك رسالة

سياسة الخصوصية | الصين جيّد جودة mosfet قوة ترانزستور المزود. © 2019 - 2022 mosfet-powertransistor.com. All Rights Reserved.

اترك رسالة