طلب اقتباس |
منزل المنتجاتشوتكي جسر المعدل

MBR1070CT ~ 100CT السامية الحالية شوتكي ديود ، سيليكون جسر المعدل

جميع المنتجات

mosfet قوة ترانزستور

(118)

نصيحة الترانزستورات السلطة

(30)

السيليكون الترانزستور السلطة

(19)

التبديل المزدوج ديود

(15)

مجال تأثير الترانزستور موس

(29)

قناة مزدوجة موسفت

(10)

انتعاش سريع المعدل ديود

(6)

السلطة زينر ديود

(6)

شوتكي جسر المعدل

(10)

الجهد العالي المعدل ديود

(15)

الصمام الثلاثي أشباه الموصلات

(9)

الجهد استقرار IC

(14)
شهادة
الصين Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd الشهادات
الصين Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd الشهادات
زبون مراجعة
نتعاون مع Hua Xuan Yang بشكل كبير بسبب كفاءتهم المهنية ، واستجابتهم الشديدة لتخصيص المنتجات التي نحتاجها ، وتسوية جميع احتياجاتنا ، وقبل كل شيء ، فهي توفر خدمات عالية الجودة.

—— —— جيسون من كندا

بناءً على توصية صديقي ، نعرف عن Hua Xuan Yang ، وهو خبير كبير في صناعة أشباه الموصلات والمكونات الإلكترونية ، والذي مكننا من تقليل وقتنا الثمين وعدم الاضطرار إلى تجربة مصانع أخرى.

—— —— Виктор من روسيا

ابن دردش الآن

MBR1070CT ~ 100CT السامية الحالية شوتكي ديود ، سيليكون جسر المعدل

MBR1070CT ~ 100CT السامية الحالية شوتكي ديود ، سيليكون جسر المعدل
MBR1070CT ~ 100CT السامية الحالية شوتكي ديود ، سيليكون جسر المعدل

صورة كبيرة :  MBR1070CT ~ 100CT السامية الحالية شوتكي ديود ، سيليكون جسر المعدل

تفاصيل المنتج:
مكان المنشأ: الصين شنتشن
اسم العلامة التجارية: Hua Xuan Yang
إصدار الشهادات: RoHS、SGS
رقم الموديل: MBR1070CT ~ 100CT
شروط الدفع والشحن:
الحد الأدنى لكمية: 1000-2000 جهاز كمبيوتر شخصى
الأسعار: Negotiated
تفاصيل التغليف: يعلّب
وقت التسليم: 1 - 2 أسبوع
شروط الدفع: L / CT / T ويسترن يونيون
القدرة على العرض: 18،000،000PCS / في اليوم الواحد
اتصل

MBR1070CT ~ 100CT السامية الحالية شوتكي ديود ، سيليكون جسر المعدل

وصف
قوة mosfet ترانزستور: TO-220-3L الثنائيات المغلفة بالبلاستيك تبديد الطاقة: 2W
IFSM: 150A IO: 10A
معرف المنتج: MBR1070CT ، 80CT ، 90CT ، 100CT تستج: -55 ~ + 150
تسليط الضوء:

حاجز شوتكي ديود المعدل

,

وتحديد شوتكي ديود

MBR1070CT ، 80CT ، 90CT ، 100CT TO-220-3L الثنائيات المغلفة بالبلاستيك


خاصية

  • شوتكي حاجز تشيب
  • انخفاض فقدان الطاقة ، وكفاءة عالية
  • حارس حلقة يموت البناء للحماية عابرة
  • ارتفاع قدرة عالية
  • قدرة عالية الحالية وانخفاض انخفاض الجهد إلى الأمام
  • للاستخدام في المحولات ذات الجهد المنخفض وعاكسات التردد العالي والعجلات المجانية وتطبيقات حماية الأقطاب
MAXIMUMRATINGS (تا = 25 ℃ unlessotherwisenoted)
ELECTRICALCHARACTERISTICS (تا = 25 ℃ unlessotherwisespecified)
الخصائص النموذجية

بطاقة:

حاجز شوتكي ديود المعدل,

وتحديد شوتكي ديود,شوتكي ديود جسر المعدل,

شوتكي حاجز ديود المعدل

تفاصيل الاتصال
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

اتصل شخص: David

إرسال استفسارك مباشرة لنا (0 / 3000)

منتجات أخرى
MBR10150CT الثنائيات جسر شوتكي المعدل TO-220-3L مغلفة الثنائيات

MBR10150CT الثنائيات جسر شوتكي المعدل TO-220-3L مغلفة الثنائيات

قوة mosfet ترانزستور: TO-220-3L غلاف بلاستيكي

ميزة: شوتكي حاجز تشيب

متوسط ​​الانتاج الحالي تصحيح: 10A

قوة تبديد: 2 واط
MBR10150 ، 200 شوتكي ديود جسر المعدل ، ديود جسر المعدل

MBR10150 ، 200 شوتكي ديود جسر المعدل ، ديود جسر المعدل

قوة mosfet ترانزستور: TO-220-3L الثنائيات المغلفة بالبلاستيك

العاصمة حجب الجهد: 150 / 200V

متوسط ​​الانتاج الحالي تصحيح: 10A

قوة تبديد: 2 واط
MBRB10100CT-B شوتكي الجسر المعدل منخفضة الطاقة فقدان عالية الكفاءة

MBRB10100CT-B شوتكي الجسر المعدل منخفضة الطاقة فقدان عالية الكفاءة

قوة mosfet ترانزستور: TO-263-2L الثنائيات المغلفة بالبلاستيك

نوع: شوتكي جسر المعدل

ميزة: انخفاض فقدان الطاقة ، وكفاءة عالية

RMS الجهد العكسي: 70V
MBR1070CT شوتكي بريدج المعدل متوسط ​​الناتج المعدل الحالي 10 أ

MBR1070CT شوتكي بريدج المعدل متوسط ​​الناتج المعدل الحالي 10 أ

قوة mosfet ترانزستور: TO-220-3L الثنائيات المغلفة بالبلاستيك

متوسط ​​الانتاج الحالي تصحيح: 10 A

IFSM: 150A

MBR3060CT / MBR3060FCT شوتكي حاجز المعدل ديود قدرة عرام عالية

MBR3060CT / MBR3060FCT شوتكي حاجز المعدل ديود قدرة عرام عالية

قوة mosfet ترانزستور: TO-220-3L الثنائيات المغلفة بالبلاستيك

نوع: شوتكي حاجز تشيب

استعمال: قلاب high frequency

RMS الجهد العكسي: 42V
حول

mosfet قوة ترانزستور

HXY4616 الترانزستور مستوى المنطق ، عالية الجهد الترانزستور 30V MOSFET التكميلية

HXY4616 Mosfet Power Transistor ± 20V VGS Voltage VDS 40V VGS ± 20v

20G04S 40V Mosfet السلطة الترانزستور N + P وضع قناة تعزيز MOSFET

ترك رسالة

سياسة الخصوصية | الصين جيّد جودة mosfet قوة ترانزستور المزود. © 2019 - 2022 mosfet-powertransistor.com. All Rights Reserved.

اترك رسالة